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SQ4942EY
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
10
2.0
8
6
4
2
0
I D = 5.7 A
V D S = 20 V
1.7
1.4
1.1
0.8
0.5
I D = 7.4 A
V GS = 10 V
0
5
10
15
20
25
30
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
Q g - Total G ate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 ° C
0.25
0.20
0.15
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.1
T J = 25 ° C
0.10
0.01
0.001
0.05
0.00
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.6
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.3
48
I D = 1 mA
0.0
46
- 0.3
I D = 5 mA
44
- 0.6
- 0.9
- 1.2
I D = 250 μA
42
40
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
T J - Junction Temperature ( ° C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2113-Rev. C, 07-Nov-11
4
Document Number: 65374
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